現(xiàn)在主要的動態(tài)補償方式為TCR型SVC、MCR型SVC和SVG三種方式，以下分別介紹這三種動態(tài)無功補償方式的原理，并且通過占地面積、響應速度、損耗、噪音等性能進行比較。

磁控電抗器全稱是磁閥式可控電抗器，簡稱MCR，是一種容量可調的并聯(lián)電抗器，主要用于電力系統(tǒng)的無功補償。磁控電抗器由控制部分和電抗器本體組成，原理圖如下。每一MCR結構及工作原理、磁閥式可控電抗器數(shù)學模型、MCR工作狀態(tài)轉換過程、MCR等效電路、MCR特性分析基于ANSYS的場。

自主研發(fā)生產的HDQ型自勵磁閥式高壓大電機軟起動裝置、QMCR型高壓快速磁控電抗器動態(tài)無功補償節(jié)能裝置，屬國際首創(chuàng)，性能優(yōu)良。

MCR在翻譯中可以是主控程序（master control routine）、模擬電路可靠性（modular circuit reliability）或維護管理報告（Maintenance Control Report）。

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